Моделирование электронной структуры монослойной сверхрешетки SiC/GeC
Развита динамическая теория когерентного рентгеновского излучения расходящегося пучка релятивистских электронов, пересекающих тонкую монокристаллическую пластинку в геометрии рассеяния Брэгга, с учетом многократного рассеяния электронов на атомах мишени. Рассматривается случай, когда мишень является...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 7. С. 169-171 |
|---|---|
| Главный автор: | Басалаев, Юрий Михайлович |
| Другие авторы: | Кособуцкий, Алексей Владимирович, Малышева, Елена Николаевна |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141514 |
Похожие документы
-
Role of intermediate metal and oxide layers in change of adhesion properties of TiAl/Al2O3 interface
по: Bakulin, Alexander V. -
Первопринципная динамика решетки галогенидов серебра
по: Гордиенко, Алексей Болеславович -
Энергетическая зонная структура кристаллов Be–(C, Si, Ge, Sn)–N2
по: Басалаев, Александр Геннадьевич -
Вертикальная проводимость сверхрешетки в продольном сильном магнитном поле при внутризонных и межзонных переходах
по: Фигарова, Софья Рустамовна - Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках
