Модель высокотемпературных фазовых переходов в металлах
На основе допущения флуктуации электронной плотности при размытии зон выявлен расчётный параметр (радиус R) полуширины распределения вероятности по координате R на уровне максимальной флуктуации электронной плотности (при максимуме гауссовой функции). Но основе анализа процесса кристаллизации и высо...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 12. С. 72-76 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141562 |
| Итог: | На основе допущения флуктуации электронной плотности при размытии зон выявлен расчётный параметр (радиус R) полуширины распределения вероятности по координате R на уровне максимальной флуктуации электронной плотности (при максимуме гауссовой функции). Но основе анализа процесса кристаллизации и высокотемпературных полиморфных превращений ОЦК → ГЦК по расчётному параметру (радиусу R) в твёрдой и жидкой фазах установлены причины возникновения ОЦК, ГЦК, гексагональной и тетрагональной структур из жидкой фазы, а также причины высокотемпературного перехода ОЦК → ГПУ в твёрдой фазе. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 5 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |