О глубоком донорном центре в n-CdSnAs2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении

Похожие документы

• Оценка эффективного параметра спин-орбитального взаимодействия электронов в интерметаллических соединениях системы Er–In по кинетическим и магнитным свойствам
• Методы исследования материалов и структур электроники: учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104.65 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", направления 210100.62 "Электроника и микроэлектроника", направления 222900.62 "Нанотехнологии и микросистемная техника", 210100.62 "Электроника и наноэлектроника", 210600.62 "Нанотехнология"/
  по: Смирнов, С. В. Серафим Всеволодович, et al.
  Публикация: (2012)
• Электрические свойства монокристаллов SnTe с избытком олова и структур SnTe – металл
  по: Ахундова, Наиля Мубин гызы
• Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10кэВ/а. е. м. ) и высоких ("1МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050С Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
  по: Неустроев, Ефим Петрович
  Публикация: (2000)
• История уделов за столетие их существования, 1797-1897
  Публикация: (1902)