Особенности повреждения свободных поверхностей ОЦК-железа при ионном облучении
На основе метода молекулярной динамики изучено влияние кристаллографической ориентации облучаемой поверхности на особенности развития каскадов атомных смещений в ОЦК-железе. Энергия каскадов атомных смещений варьировалась от 1 до 20 кэВ. При облучении поверхности (111) в материале формируются к...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 1. С. 146-149 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141682 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | На основе метода молекулярной динамики изучено влияние кристаллографической ориентации облучаемой поверхности на особенности развития каскадов атомных смещений в ОЦК-железе. Энергия каскадов атомных смещений варьировалась от 1 до 20 кэВ. При облучении поверхности (111) в материале формируются кратеры, а в случае поверхности (110) образуются дислокационные петли вакансионного типа с вектором Бюргерса а<100> или a/2<111>. Формирование кратера или дислокационной петли связано с анизотропным характером распространения ударных волн, генерируемых каскадами атомных смещений. При малых энергиях каскадов количество выживших точечных дефектов вблизи поверхности (110) больше, чем вблизи поверхности (111). При повышении энергии каскадов атомных смещений влияние ориентации свободной поверхности на количество выживших дефектов уменьшается. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 13 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |