Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

Разработана модель латерального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) за счет образования и движения элементарных ступеней по боковым граням ННК. Модель позволяет согласованным образом описать динамику ступеней и аксиальный рост ННК. Показано, что наблюдаемое в эксперименте формирование ННК с резким...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 8. С. 73-78
Main Author: Филимонов, Сергей Николаевич
Other Authors: Эрвье, Юрий Юрьевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141710
Description
Summary:Разработана модель латерального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) за счет образования и движения элементарных ступеней по боковым граням ННК. Модель позволяет согласованным образом описать динамику ступеней и аксиальный рост ННК. Показано, что наблюдаемое в эксперименте формирование ННК с резким изменением диаметра и отсутствием утолщения вблизи вершины может быть обусловлено эшелонированием ступеней на боковых гранях ННК из-за наличия сильного стока для адатомов на вершине ННК. Барьер Эрлиха – Швебеля для присоединения адатома к ступени с верхней террасы способствует формированию эшелона ступеней на ранней стадии латерального роста и развалу эшелона при больших временах роста.
Bibliography:Библиогр.: 15 назв.
ISSN:0021-3411