Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
Разработана модель латерального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) за счет образования и движения элементарных ступеней по боковым граням ННК. Модель позволяет согласованным образом описать динамику ступеней и аксиальный рост ННК. Показано, что наблюдаемое в эксперименте формирование ННК с резким...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 8. С. 73-78 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141710 |
| Итог: | Разработана модель латерального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) за счет образования и движения элементарных ступеней по боковым граням ННК. Модель позволяет согласованным образом описать динамику ступеней и аксиальный рост ННК. Показано, что наблюдаемое в эксперименте формирование ННК с резким изменением диаметра и отсутствием утолщения вблизи вершины может быть обусловлено эшелонированием ступеней на боковых гранях ННК из-за наличия сильного стока для адатомов на вершине ННК. Барьер Эрлиха – Швебеля для присоединения адатома к ступени с верхней террасы способствует формированию эшелона ступеней на ранней стадии латерального роста и развалу эшелона при больших временах роста. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 15 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |