Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

Разработана модель латерального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) за счет образования и движения элементарных ступеней по боковым граням ННК. Модель позволяет согласованным образом описать динамику ступеней и аксиальный рост ННК. Показано, что наблюдаемое в эксперименте формирование ННК с резким...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 8. С. 73-78
Main Author: Филимонов, Сергей Николаевич
Other Authors: Эрвье, Юрий Юрьевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141710
LEADER 02586nab a2200301 c 4500
001 koha001141710
005 20240701144033.0
007 cr |
008 240625|2016 ru s c rus d
035 |a koha001141710 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Филимонов, Сергей Николаевич 
245 1 0 |a Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристаллов  |c С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 15 назв. 
520 3 |a Разработана модель латерального роста нитевидных нанокристаллов (ННК) за счет образования и движения элементарных ступеней по боковым граням ННК. Модель позволяет согласованным образом описать динамику ступеней и аксиальный рост ННК. Показано, что наблюдаемое в эксперименте формирование ННК с резким изменением диаметра и отсутствием утолщения вблизи вершины может быть обусловлено эшелонированием ступеней на боковых гранях ННК из-за наличия сильного стока для адатомов на вершине ННК. Барьер Эрлиха – Швебеля для присоединения адатома к ступени с верхней террасы способствует формированию эшелона ступеней на ранней стадии латерального роста и развалу эшелона при больших временах роста. 
653 |a эпитаксия 
653 |a нитевидные нанокристаллы 
653 |a поверхностная диффузия 
653 |a ступени 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Эрвье, Юрий Юрьевич 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2016  |g Т. 59, № 8. С. 73-78  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141710 
908 |a статья 
999 |c 1141710  |d 1141710