Токовая неустойчивость в четырехслойных р–n–р–n-структурах
Исследовалось поведение р₁–п₁–р₂–п₂-структур с контактами к п₁- и п₂-областям. Показано, что при таком двухэлектродном включении четырехслойные структуры в некотором интервале напряжений не имеют стационарного состояния – в них развивается неустойчивость, сопровождающаяся генерацией импульсов тока р...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 8. С. 79-83 |
|---|---|
| Main Author: | Лысенко, Александр Павлович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141711 |
Similar Items
-
Исследование эквивалентов P-N-P-N- структуры для аналоговых устройств автоматики, измерительной техники и радиоэлектроники: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук./
by: Степанова Людмила Николаевна
Published: (1979) -
Туннельный эффект в вырожденном р-n-переходе. Общая физика: Руководство к лабораторной работе для студентов всех специальностей/
by: Галанский, В. Л. Владимир Лазаревич, et al.
Published: (1990) -
Strongly and solidly ω1-weak pω·2+n-projective Abelian p-groups
by: Danchev, Peter V. - Новый метод получения п–р-структуры на основе дефектного полупроводника AgIn5S8
-
P-i-n диоды в широкополосных устройствах СВЧ/
by: Дзехцер, Г. Б., et al.
Published: (1970)
