Нелинейность коэффициента диффузии горячих носителей в объеме полупроводника под действием электрического и магнитного полей

На основе феноменологического рассмотрения процессов дрейфа и разогрева носителей в объеме полупроводников типа АⅢBⅤ в сильных перекрёстных электрических и магнитных полях построена квазитрехмерная модель, описывающая основные кинетические составляющие параметров тока. Проанализировано поведение коэ...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 6. С. 3-6
Главный автор: Малышев, Игорь Владимирович
Другие авторы: Филь, Константин Александрович, Паршина, Наталья Валерьевна
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141740
Описание
Итог:На основе феноменологического рассмотрения процессов дрейфа и разогрева носителей в объеме полупроводников типа АⅢBⅤ в сильных перекрёстных электрических и магнитных полях построена квазитрехмерная модель, описывающая основные кинетические составляющие параметров тока. Проанализировано поведение коэффициента диффузии в условиях такого воздействия. Выявлено, что неравенство продольной и поперечной компонент эффективной массы и кинетической энергии приводит к сильным различиям компонент коэффициента диффузии и дрейфовой скорости. Проанализировано поведение дрейфовой и диффузионной характеристик в магнитных полях с различной интенсивностью индукции. Получено, что при увеличении магнитной индукции возникает рост значения продольной компоненты скорости, а в дальнейшем на дрейфовой поперечной индукционной характеристике возникают падающие участки, что свидетельствует о возможности использования этого эффекта для создания нелинейных индукционных активных элементов. Обнаружена анизотропия на поперечной диффузионной индукционной характеристике, выражающаяся в том, что при больших значениях Bz > 2 Тл происходит «расщепление» максимума на два, что также перспективно с точки зрения создания нового класса преобразовательных устройств.
Библиография:Библиогр.: 4 назв.
ISSN:0021-3411