Моделирование температурной зависимости излучательных характеристик нанослойных инжекционных лазеров на основе симметричных гетероструктур

Решена точная задача распространения электромагнитной волны в многослойной наноструктуре с комплексными значениями диэлектрической проницаемости. Учтён вклад в показатель преломления добавки к диэлектрической постоянной за счёт инжектированных носителей. В рамках этой задачи показано, что...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 3. С. 157-162
Main Author: Махсудов, Барот Исломович
Other Authors: Джураев, Хайрулло Шарофович, Каримов, Зоир Давлатбегович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141804
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 04823nab a2200325 c 4500
001 koha001141804
005 20240702121732.0
007 cr |
008 240626|2017 ru s c rus d
035 |a koha001141804 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Махсудов, Барот Исломович  |9 500880 
245 1 0 |a Моделирование температурной зависимости излучательных характеристик нанослойных инжекционных лазеров на основе симметричных гетероструктур  |c Б. И. Махсудов, Х. Ш. Джураев, З. Д. Каримов 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 7 назв. 
520 3 |a Решена точная задача распространения электромагнитной волны в многослойной наноструктуре с комплексными значениями диэлектрической проницаемости. Учтён вклад в показатель преломления добавки к диэлектрической постоянной за счёт инжектированных носителей. В рамках этой задачи показано, что аномальная температурная зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе наногетероструктур связана с антиволноводным действием инжектированных носителей. Рассмотрена квантово-размерная гетероструктура на основе наносистем InGaAs/AsGaAs/GaAs, используемых для изготовления лазеров диапазона 0.94-1.14 мкм. Применяемые методики и подходы приемлемы также и для оптимизации многослойных наноструктур на основе других твёрдых растворов. В качестве оптической модели активной области инжекционных лазеров на основе наноструктур рассмотрен плоский многослойный диэлектрический волновод с комплексными значениями диэлектрической проницаемости в слоях. Показано, что для инжекционных лазеров при уменьшении толщины активной области зависимость модового усиления от локального усиления носит существенно сублинейный характер. Причиной тому является антиволноводное действие электронов. Результаты расчёта температурной зависимости порогового тока инжекционных лазеров указывают на наличие критической точки Tc, при которой происходит резкое уменьшение характеристической температуры. На основании выполненных расчётов и оптимизации температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе наноструктур показано, что аномальное поведение температурной зависимости порогового тока тоже связано с ослаблением волноводных свойств их активной области. 
653 |a гетероструктуры 
653 |a инжекционные лазеры 
653 |a температурная зависимость 
655 4 |a статьи в журналах  |9 966999 
700 1 |a Джураев, Хайрулло Шарофович  |9 500881 
700 1 |a Каримов, Зоир Давлатбегович  |9 500882 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2017  |g Т. 60, № 3. С. 157-162  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141804 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1141804 
908 |a статья 
999 |c 1141804  |d 1141804 
039 |b 100