Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области - Тимофеев, Вячеслав Алексеевич; Никифоров, Александр Иванович; Коханенко, Андрей Павлович; Туктамышев, Артур Раисович; Машанов, Владимир Иванович; Лошкарев, Иван Дмитриевич; Новиков, Вадим Александрович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150–450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались осцилляции зеркального рефлекса. Впервые выращены многослойные периодические структуры SiSn/Si с псевдоморфными монокристаллическими слоями SiSn с содержанием Sn от 10 до 25 %. Выявлены сверхструктуры c(8×4) и (5×1) при росте Si на слое SiSn и определены условия формирования желаемой структуры поверхности Si путем контроля температуры роста. Из кривых дифракционного отражения определен параметр решетки, состав SiSn и период в многослойной периодической структуре, которые с высокой точностью соответствуют заданным значениям.