Стабильность квазидвумерной электронно-дырочной жидкости в полупроводниковых структурах II рода

Стабильность квазидвумерной электронно-дырочной жидкости в полупроводниковых структурах II рода

Получены аналитические выражения для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) и пороговой величины высоты барьера для электронов, выше которой образование прямой ЭДЖ невозможно. Показано, что состояние с квазидвумерной ЭДЖ может быть энергетически выгодным в полупроводниках с анизот...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 10. С. 151-155
Other Authors: Васильченко, Александр Анатольевич, Копытов, Геннадий Филиппович, Кривобок, Владимир Святославович, Ермохин, Дмитрий Александрович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
электронно-дырочная жидкость
энергия связи
экситоны
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142038
Description
Summary:Получены аналитические выражения для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) и пороговой величины высоты барьера для электронов, выше которой образование прямой ЭДЖ невозможно. Показано, что состояние с квазидвумерной ЭДЖ может быть энергетически выгодным в полупроводниках с анизотропией масс и (или) большим числом эквивалентных долин. Проведено сравнение результатов вычислений с экспериментальными результатами для структуры Si/SiGe/Si.
Bibliography:Библиогр.: 20 назв.
ISSN:0021-3411

Similar Items