Стабильность квазидвумерной электронно-дырочной жидкости в полупроводниковых структурах II рода
Получены аналитические выражения для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) и пороговой величины высоты барьера для электронов, выше которой образование прямой ЭДЖ невозможно. Показано, что состояние с квазидвумерной ЭДЖ может быть энергетически выгодным в полупроводниках с анизот...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 10. С. 151-155 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142038 |
| Итог: | Получены аналитические выражения для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) и пороговой величины высоты барьера для электронов, выше которой образование прямой ЭДЖ невозможно. Показано, что состояние с квазидвумерной ЭДЖ может быть энергетически выгодным в полупроводниках с анизотропией масс и (или) большим числом эквивалентных долин. Проведено сравнение результатов вычислений с экспериментальными результатами для структуры Si/SiGe/Si. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 20 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |