APA (7th ed.) Citation

Расулов, В. Р. К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров. Известия высших учебных заведений. Физика, 0026-80960(2016), .

Chicago Style (17th ed.) Citation

Расулов, Вохоб Рустамович. "К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров." Известия высших учебных заведений. Физика 0026-80960, no. 2016 ().

MLA (8th ed.) Citation

Расулов, Вохоб Рустамович. "К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров." Известия высших учебных заведений. Физика, vol. 0026-80960, no. 2016, .