К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров
Теоретически исследовано распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Подход основан на использовании одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера для описания процессов упругого рассеяния, в том числе туннелирования, невзаимодейс...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 10. С. 156-159 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142039 |
| Summary: | Теоретически исследовано распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Подход основан на использовании одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера для описания процессов упругого рассеяния, в том числе туннелирования, невзаимодействующих бесспиновых частиц при условии сохранения их полной энергии. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 12 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |