К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров
Теоретически исследовано распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Подход основан на использовании одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера для описания процессов упругого рассеяния, в том числе туннелирования, невзаимодейс...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 10. С. 156-159 |
|---|---|
| Main Author: | Расулов, Вохоб Рустамович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142039 |
Similar Items
-
Физические основы квантовой механики [Учебное пособие по специальности "Физика"]
by: Лембра, Юри
Published: (1983) -
К теории поглощения поляризованного излучения в полупроводниковой квантовой яме (001)
by: Расулов, Рустам Явкачович - Ge/Si avalanche photodiodes dark current
-
Влияние многоуровневой примеси на туннельный и баллистический ток в графеновой наноленте
by: Конобеева, Наталия Николаевна -
Туннельные диоды в схемах измерительной техники/
by: Пашковский, Г. Ю. Герман Юльевич, et al.
Published: (1969)
