|
|
|
|
| LEADER |
03659nab a2200361 c 4500 |
| 001 |
koha001142207 |
| 005 |
20241016173304.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240705|2016 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001142207
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 31 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации легирующей примеси, основанная на измерении адмиттанса МДП-структур в диапазоне частот 50 кГц – 1 МГц. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем в этом частотном диапазоне имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Рассчитан профиль распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника и показано, что в p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем концентрация легирующей примеси имеет минимум вблизи границы раздела с диэлектриком.
|
| 653 |
|
|
|a МДП-структуры
|
| 653 |
|
|
|a HgCdTe
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a варизонные слои
|
| 653 |
|
|
|a вольт-фарадные характеристики
|
| 653 |
|
|
|a концентрация легирующей примеси
|
| 653 |
|
|
|a профиль распределения концентрации
|
| 653 |
|
|
|a легирующие примеси
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Несмелов, Сергей Николаевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Дзядух, Станислав Михайлович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2016
|g Т. 59, № 2. С. 105-114
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142207
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1142207
|d 1142207
|
