Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентраци...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 2. С. 105-114 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142207 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03879nab a2200385 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001142207 | ||
| 005 | 20241016173304.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240705|2016 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001142207 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Войцеховский, Александр Васильевич |9 64789 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии |c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 31 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации легирующей примеси, основанная на измерении адмиттанса МДП-структур в диапазоне частот 50 кГц - 1 МГц. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем в этом частотном диапазоне имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Рассчитан профиль распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника и показано, что в p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем концентрация легирующей примеси имеет минимум вблизи границы раздела с диэлектриком. | |
| 653 | |a МДП-структуры | ||
| 653 | |a HgCdTe | ||
| 653 | |a молекулярно-лучевая эпитаксия | ||
| 653 | |a варизонные слои | ||
| 653 | |a вольт-фарадные характеристики | ||
| 653 | |a концентрация легирующей примеси | ||
| 653 | |a профиль распределения концентрации | ||
| 653 | |a легирующие примеси | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 967980 | |
| 700 | 1 | |a Несмелов, Сергей Николаевич |9 65140 | |
| 700 | 1 | |a Дзядух, Станислав Михайлович |9 80402 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2016 |g Т. 59, № 2. С. 105-114 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142207 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1142207 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1142207 |d 1142207 | ||
| 039 | |b 100 | ||