Солитонные возмущения ядра заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле
Рассмотрены волновые процессы в дырочном газе, находящемся в электрическом поле, созданном распределением заряда доноров и акцепторов вблизи отрицательно заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле n-типа. Показано, что решение уравнения Кортевега – де Фриза описывает уединенные волны, распр...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 12. С. 144-149 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142240 |
| Итог: | Рассмотрены волновые процессы в дырочном газе, находящемся в электрическом поле, созданном распределением заряда доноров и акцепторов вблизи отрицательно заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле n-типа. Показано, что решение уравнения Кортевега – де Фриза описывает уединенные волны, распространяющиеся вдоль оси цилиндра Рида. Получена оценка скорости солитона для значений физических параметров, характеризующих полупроводниковый кристалл и область вблизи дислокации. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 8 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
