Солитонные возмущения ядра заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле

Рассмотрены волновые процессы в дырочном газе, находящемся в электрическом поле, созданном распределением заряда доноров и акцепторов вблизи отрицательно заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле n-типа. Показано, что решение уравнения Кортевега – де Фриза описывает уединенные волны, распр...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 12. С. 144-149
Главный автор: Гестрин, Сергей Геннадьевич
Другие авторы: Щукина, Елена Вячеславовна
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142240
Описание
Итог:Рассмотрены волновые процессы в дырочном газе, находящемся в электрическом поле, созданном распределением заряда доноров и акцепторов вблизи отрицательно заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле n-типа. Показано, что решение уравнения Кортевега – де Фриза описывает уединенные волны, распространяющиеся вдоль оси цилиндра Рида. Получена оценка скорости солитона для значений физических параметров, характеризующих полупроводниковый кристалл и область вблизи дислокации.
Библиография:Библиогр.: 8 назв.
ISSN:0021-3411