Солитонные возмущения ядра заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле - Гестрин, Сергей Геннадьевич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Рассмотрены волновые процессы в дырочном газе, находящемся в электрическом поле, созданном распределением заряда доноров и акцепторов вблизи отрицательно заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле n-типа. Показано, что решение уравнения Кортевега – де Фриза описывает уединенные волны, распространяющиеся вдоль оси цилиндра Рида. Получена оценка скорости солитона для значений физических параметров, характеризующих полупроводниковый кристалл и область вблизи дислокации.