Структурные и диэлектрические свойства твердых растворов Ba1-xSrxTiO3

Твердофазным синтезом с последующим спеканием по обычной керамической технологии изготовлены образцы твердых растворов системы Ba₁₋ₓSrₓTiO₃ (0 ≤ x ≤1.0). Изучены их кристаллическая структура и зёренное строение при комнатной температуре, диэлектрические свойства - в широком диапазоне внешних во...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 12. С. 160-165
Другие авторы: Садыков, Хизир Амирович, Вербенко, Илья Александрович, Резниченко, Лариса Андреевна, Павелко, Алексей Александрович, Шилкина, Лидия Александровна, Константинов, Георгий Михайлович, Абубакаров, Абу Геланиевич, Шевцова, Светлана Ивановна, Павленко, Анатолий Владимирович, Хасбулатов, Сидек Вахаевич
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142242
Перейти в каталог НБ ТГУ
Описание
Итог:Твердофазным синтезом с последующим спеканием по обычной керамической технологии изготовлены образцы твердых растворов системы Ba₁₋ₓSrₓTiO₃ (0 ≤ x ≤1.0). Изучены их кристаллическая структура и зёренное строение при комнатной температуре, диэлектрические свойства - в широком диапазоне внешних воздействий (температуры и частоты переменного электрического поля). На основании полученных результатов построена диаграмма состояний системы, включающая три разносимметрийных однофазных поля (тетрагональное, псевдокубическое, кубическое) и две морфотропные области с сосуществованием тетрагональной и псевдокубической, псевдокубической и кубической фаз; выявлены особенности зёренного ландшафта, связанного с формированием морфотропных областей и плавлением гидроксида бария; показана зависимость диэлектрических свойств твердых растворов от их кристаллохимической специфики и положения на фазовой диаграмме системы. Сделано заключение о возможности использования композиций с х = 0.2 для создания материалов с высокими диэлектрическими проницаемостями, перспективных для применений в микроэлектронике.
Библиография:Библиогр.: 20 назв.
ISSN:0021-3411