Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния - Трегулов, Вадим Викторович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n⁺–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пористой пленки. Насыщение пленки пористого кремния фосфором производилось в процессе ее роста электрохимическим способом. Показано, что на процессы токопрохождения в исследуемой структуре существенное влияние оказывают ловушки.