| Итог: | Исследовано влияние субмикронных сегнетоэлектрических частиц BaTiO₃ на диэлектрические и электрооптические свойства смектического А жидкого кристалла (ЖК) с большой отрицательной диэлектрической анизотропией. Показано, что добавление частиц BaTiO₃ в весовом количестве 1 % уменьшает поперечную составляющую диэлектрической проницаемости ε⊥ незначительно, но ощутимо увеличивает продольную составляющую диэлектрической проницаемости ε‖ смектического А ЖК. В результате, анизотропия диэлектрической проницаемости Δε = ε‖ – ε⊥ смектического А ЖК уменьшается. Добавление частиц BaTiO₃ смещает дисперсию ε⊥ в сторону низких частот. Обе компоненты электропроводности коллоида ЖК + BaTiO₃ на порядок выше по сравнению с чистым ЖК. Пороговое напряжение гомеотропно-планарного перехода коллоида в 2 раза ниже, а его скорость в 6 раз выше по сравнению с чистым ЖК. Приведена простейшая модель, качественно объясняющая все полученные результаты.
|
|---|
