Есин, М. Ю., Никифоров, А. И., Тимофеев, В. А., Машанов, В. И., Туктамышев, А. Р., Лошкарев, И. Д., & Пчеляков, О. П. Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge. Известия высших учебных заведений. Физика, 0026-80960(2017), .
Chicago Style (17th ed.) CitationЕсин, Михаил Юрьевич, Александр Иванович Никифоров, Вячеслав Алексеевич Тимофеев, Владимир Иванович Машанов, Артур Раисович Туктамышев, Иван Дмитриевич Лошкарев, and Олег Петрович Пчеляков. "Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge." Известия высших учебных заведений. Физика 0026-80960, no. 2017 ().
MLA (8th ed.) CitationЕсин, Михаил Юрьевич, et al. "Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge." Известия высших учебных заведений. Физика, vol. 0026-80960, no. 2017, .