|
|
|
|
| LEADER |
02942nab a2200373 c 4500 |
| 001 |
koha001142319 |
| 005 |
20240724122219.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240710|2017 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001142319
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge
|c М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев [и др.]
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 10 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0.652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1×2 при предварительном нагреве до 1000 оС подложки Si(100), отклоненной к плоскости (111) на угол 0.35о. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1×2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступеням. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температурах 800 и 1000 оС. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек.
|
| 653 |
|
|
|a дифракция быстрых электронов
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a атомно-силовая микроскопия
|
| 653 |
|
|
|a островки Ge
|
| 653 |
|
|
|a поверхность Si(100)
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Есин, Михаил Юрьевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Никифоров, Александр Иванович
|
| 700 |
1 |
|
|a Тимофеев, Вячеслав Алексеевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Машанов, Владимир Иванович
|
| 700 |
1 |
|
|a Туктамышев, Артур Раисович
|
| 700 |
1 |
|
|a Лошкарев, Иван Дмитриевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Пчеляков, Олег Петрович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2017
|g Т. 60, № 11. С. 13-19
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142319
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1142319
|d 1142319
|
