Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge
Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0.652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1×2 при предварительном н...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 13-19 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142319 |