Анизотропия эффекта Нернста – Эттингсгаузена в сверхрешетках при рассеянии на фононах
Изучается анизотропия поперечного эффекта Нернста – Эттингсгаузена в сверхрешетках в зависимости от степени заполнения мини-зоны и направления магнитного поля при рассеянии на акустических и полярных оптических фононах. Показано, что при рассеянии на полярных оптических фононах наблюдается существен...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 74-79 |
|---|---|
| Главный автор: | Фигарова, София Рустам гызы |
| Другие авторы: | Гусейнов, Гусейнага Ибрагим оглы, Фигаров, Вагиф Рустамович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142323 |
Похожие документы
-
Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AIAs)n диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Никитина, Лариса Николаевна
Публикация: (2011) -
Междолинное рассеяние на интерфейсных М фононах в сверхрешетках (GaAs)м(AlAs)n
по: Никитина, Лариса Николаевна - Междолинное рассеяние электронов на локализованных и интерфейсных фононах в сверхрешетках (GaAs)M(AlAs)N(001)
-
Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m
по: Никитина, Лариса Николаевна -
Коллапс резонансов в сверхрешетках
по: Штыгашев, Александр Анатольевич
