Исследование транспортных характеристик наноструктур на основе графена
Приведены результаты компьютерного моделирования основных транспортных характеристик наноструктур, полученных методом построчного удаления атомов углерода из графена. Исследование электрических характеристик проведено на основе теории функционала электронной плотности с применением метода неравнове...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 80-86 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142324 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03305nab a2200349 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001142324 | ||
| 005 | 20240724115944.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240710|2017 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001142324 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Сергеев, Даулет Максатович |9 501437 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Исследование транспортных характеристик наноструктур на основе графена |c Д. М. Сергеев, К. Ш. Шункеев |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 14 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Приведены результаты компьютерного моделирования основных транспортных характеристик наноструктур, полученных методом построчного удаления атомов углерода из графена. Исследование электрических характеристик проведено на основе теории функционала электронной плотности с применением метода неравновесных гриновских функций и аппроксимации локальной плотности, реализованной в программе Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab. Рассчитаны спектры пропускания наноструктур при различных значениях напряжения смещения, вольт-амперные характеристики (ВАХ) и дифференциальная проводимость. Показано, что ВАХ рассматриваемых наноструктур имеют значительный участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на dI/dV-характеристике. Полученные результаты могут быть полезными при расчетах новых перспективных электронных приборов наноэлектроники. | |
| 653 | |a графен | ||
| 653 | |a углеродная атомная цепочка | ||
| 653 | |a наноконтакт | ||
| 653 | |a вольт-амперная характеристика | ||
| 653 | |a дифференциальная проводимость | ||
| 653 | |a спектры пропускания | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 968389 | |
| 700 | 1 | |a Шункеев, Куанышбек Шункеевич |9 501439 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2017 |g Т. 60, № 11. С. 80-86 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142324 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1142324 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1142324 |d 1142324 | ||
| 039 | |b 100 | ||