Исследование транспортных характеристик наноструктур на основе графена
Приведены результаты компьютерного моделирования основных транспортных характеристик наноструктур, полученных методом построчного удаления атомов углерода из графена. Исследование электрических характеристик проведено на основе теории функционала электронной плотности с применением метода неравновес...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 80-86 |
|---|---|
| Главный автор: | Сергеев, Даулет Максатович |
| Другие авторы: | Шункеев, Куанышбек Шункеевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142324 |
Похожие документы
-
Моделирование спин-фильтрующих свойств оборванной октаграфеновой наноленты, насыщенной атомами водорода
по: Сергеев, Даулет Максатович -
Измерение и моделирование вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых сенсоров высокоэнергетических электронов
по: Маковский, Артем Александрович -
Модель протекания тока в p-nизлучающих структурах на основе арсенида галлия
по: Карлова, Гелия Федоровна -
Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом
по: Тяжев, Антон Владимирович - Новый метод получения п–р-структуры на основе дефектного полупроводника AgIn5S8
