Исследование полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур для беспроводной передачи энергии

Исследование полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур для беспроводной передачи энергии

Приведены результаты экспериментальных исследований полупроводниковых лазеров на базе наногетероструктур, предназначенных для систем беспроводной передачи энергии....

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 164-167
Другие авторы:	Федоров, Дмитрий Леонидович, Лентовский, Вадим Валентинович, Копьев, Петр Сергеевич, Симкина, Дарья Дмитриевна
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	наногетероструктура лазеры квантовые ямы излучение энергия статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142328

Похожие документы

Физика полупроводниковых лазеров: монография/
по: Камия Такэси, et al.
Публикация: (1989)

Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур

Принципы лазеров: Пер. с англ./
по: Звелто Орацио
Публикация: (1990)

Принципы лазеров
по: Звелто, Орацио

Принципы лазеров рекомендуется студентам, аспирантам, научным сотрудникам университетов, вузов и научно-исследовательских учреждений
по: Звелто, Орацио
Публикация: (2008)

Методика расчета излучательных характеристик квантовых ям на основе CdxHg1-xTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications

Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике [сборник статей]
Публикация: (2010)

Влияние эффектов самополяризации и экситон-фононного взаимодействия на энергию экситона в нанопленках дииодида свинца
по: Крамарь, Валерий Максимович

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Квазидвумерная электронно-дырочная жидкость в квантовых ямах Si/SiO2
по: Васильченко, Александр Анатольевич

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Основы динамики лазеров: учебное пособие/
по: Ханин Яков Израилевич
Публикация: (1999)

Фотоприемный модуль 320x256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
по: Ломов, Евгений Юрьевич

Динамика и спектры излучения полупроводниковых лазеров
по: Ривлин, Лев Абрамович
Публикация: (1983)

Физика полупроводниковых лазеров
Публикация: (1989)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Горн, Д. И. Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области

Накачка импульсных лазеров с продольным разрядом от генератора с индуктивным накопителем энергии и полупроводниковым прерывателем тока

Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
по: Брудный, Павел Александрович

Физика лазеров [учебное пособие для вузов]
по: Кондиленко, Иван Иванович
Публикация: (1984)

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Динамика и спектры излучения полупроводниковых лазеров: монография/
по: Ривлин Лев Абрамович, et al.
Публикация: (1983)

Quantum-well states with image state character for Pb overlayers on Cu(III)

Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники

Источники накачки микросекундных лазеров: научное издание/
по: Басов Юрий Георгиевич
Публикация: (1990)

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
по: Кузнецова, А. Н.

Исследование плазмы с помощью лазеров
по: Душин, Леонид Алексеевич
Публикация: (1968)

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
по: Kopyev, Viktor V.

Theoretical model for description of single CdHgTe quantum well photoluminescense spectra
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.