| Summary: | Приводятся результаты измерений поглощения акустических волн в кристаллах ε-GaSe. Поглощение продольной волны, распространяющейся перпендикулярно слоям (вдоль оси С₆), квадратично зависит от частоты и практически не зависит от температуры, т.е. имеет ахиезеровский характер, хотя абсолютная величина поглощения существенно превосходит ожидаемые значения. При анализе частотных и температурных зависимостей поглощения пьезоактивных волн, распространяющихся вдоль слоев, вычитался вклад, обусловленный взаимодействием волн с носителями заряда. Обнаружено, что решеточное поглощение этих волн линейно зависит от частоты. Линейная частотная и при этом слабая температурная зависимость поглощения звука, характерные для добавочного сверхахиезеровского поглощения в стеклах, в данном случае могут быть следствием легкого образования в кристаллах GaSe различных политипов, отличающихся только взаимным положением слоев.
|
|---|
