О механизмах образования памяти и появления отрицательного дифференциального сопротивления в твердых растворах системы TlInTe2–TlYbTe2
Исследуются особенности поведения электронной подсистемы в процессе возникновения и формирования канала памяти в твердых растворах системы ТlInТe₂–ТlYbТe₂. Изучение вольт-амперной характеристики позволяет понять причину резкого изменения электропроводности исследуемых образцов при переходе их из сос...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 128-131 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142352 |
| Summary: | Исследуются особенности поведения электронной подсистемы в процессе возникновения и формирования канала памяти в твердых растворах системы ТlInТe₂–ТlYbТe₂. Изучение вольт-амперной характеристики позволяет понять причину резкого изменения электропроводности исследуемых образцов при переходе их из состояния высокого сопротивления в состояние высокой проводимости, а также причины, приводящие к известной нестабильности пороговых переключателей, и разработать приборы с высокой стабильностью порогового напряжения. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 12 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |