|
|
|
|
| LEADER |
02244nab a2200301 c 4500 |
| 001 |
koha001142352 |
| 005 |
20240724133839.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240711|2017 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001142352
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Ахмедова, Арзу Муса кызы
|
| 245 |
1 |
0 |
|a О механизмах образования памяти и появления отрицательного дифференциального сопротивления в твердых растворах системы TlInTe2–TlYbTe2
|c А. М. Ахмедова
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 12 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Исследуются особенности поведения электронной подсистемы в процессе возникновения и формирования канала памяти в твердых растворах системы ТlInТe₂–ТlYbТe₂. Изучение вольт-амперной характеристики позволяет понять причину резкого изменения электропроводности исследуемых образцов при переходе их из состояния высокого сопротивления в состояние высокой проводимости, а также причины, приводящие к известной нестабильности пороговых переключателей, и разработать приборы с высокой стабильностью порогового напряжения.
|
| 653 |
|
|
|a твердые растворы
|
| 653 |
|
|
|a проводимость
|
| 653 |
|
|
|a мощности шума
|
| 653 |
|
|
|a канал памяти
|
| 653 |
|
|
|a переключатели
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2017
|g Т. 60, № 12. С. 128-131
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142352
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1142352
|d 1142352
|
