О механизмах образования памяти и появления отрицательного дифференциального сопротивления в твердых растворах системы TlInTe2–TlYbTe2 - Ахмедова, Арзу Муса кызы (Известия высших учебных заведений. Физика)
Исследуются особенности поведения электронной подсистемы в процессе возникновения и формирования канала памяти в твердых растворах системы ТlInТe₂–ТlYbТe₂. Изучение вольт-амперной характеристики позволяет понять причину резкого изменения электропроводности исследуемых образцов при переходе их из состояния высокого сопротивления в состояние высокой проводимости, а также причины, приводящие к известной нестабильности пороговых переключателей, и разработать приборы с высокой стабильностью порогового напряжения.