Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении
Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 142-149 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142354 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. При этих исследованиях обнаружился целый ряд не известных ранее эффектов, интересных с точки зрения физики, обсуждению которых и посвящена данная работа. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 12 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |