Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении
Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 142-149 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142354 Перейти в каталог НБ ТГУ |