Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении
Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 142-149 |
|---|---|
| Other Authors: | Лысенко, Александр Павлович, Белов, Александр Георгиевич, Каневский, Владимир Евгеньевич, Одинцова, Елена Алексеевна |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142354 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Бесконтактный способ измерения шумов высокоомных материалов
- Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
-
Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
by: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Published: (2007) -
Исследование механических напряжений в сплавных контактах металлов с полупроводниками методом фотоупругости диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Мисик, Анатолий Михайлович
Published: (1972) -
Спектральные характеристики фотопроводимости структур на основе КРТ
by: Нестерович, Н. В.
