Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении

Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении

Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 142-149
Другие авторы:	Лысенко, Александр Павлович, Белов, Александр Георгиевич, Каневский, Владимир Евгеньевич, Одинцова, Елена Алексеевна
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	высокоомные полупроводники фотопроводимость омические контакты локальное освещение статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142354 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Бесконтактный способ измерения шумов высокоомных материалов

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Исследование механических напряжений в сплавных контактах металлов с полупроводниками методом фотоупругости диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Мисик, Анатолий Михайлович
Публикация: (1972)

Спектральные характеристики фотопроводимости структур на основе КРТ
по: Нестерович, Н. В.

Особенности оптического поглощения и фотопроводимости моноселенида индия при лазерном возбуждении

Учебное пособие по дисциплине "Металлизация в системах с наноразмерными элементами" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника"]
по: Шевяков, Василий Иванович 1952-
Публикация: (2011)

Электрическая проводимость и теплопроводность твердого раствора Sn1-xMnxTe (0 ≥ x ≥ 0.04)
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Сенсибилизированный фотоэффект
по: Акимов, Игорь Александрович, et al.
Публикация: (1980)

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Федин, И. В. Иван Владимирович
Публикация: (2019)

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Федин, И. В. Иван Владимирович
Публикация: (2019)

Фотоэлектрические явления в полупроводниках/
по: Рывкин, С. М. Соломон Меерович
Публикация: (1963)

Расчет спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных варизонных пленок КРТ
по: Нестерович, Н. В

Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N

Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Атакова, М. М.
Публикация: (1974)

Спектральное распределение фотопроводимости в GaAs в условиях реализации метастабильности EL-2-центров
по: Габибов, Фазил Сейфулаевич

Электризация высокоомных материалов в мощных полях импульсной радиации
по: Куликов, Виктор Дмитриевич
Публикация: (2004)

Вторично-ионная масс-спектроскопия кристаллов селенида цинка со спектральной памятью фотопроводимости
по: Беленчук, Александр Владимирович

Диссипативные процессы в высокоомных материалах при высоких уровнях электронного возбуждения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
по: Степанов, С. А. специалист в области светотехники инженер Томского политехнического университета 1986-
Публикация: (2013)

Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu: дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
по: Ишуткин, С. В. Сергей Владимирович
Публикация: (2016)

Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu: автореферат дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
по: Ишуткин, С. В. Сергей Владимирович
Публикация: (2016)

Динамика фотоиндуцированного поглощения света и фотопроводимости в кристаллах силиката висмута

Диссипативные процессы в высокоомных материалах при высоких уровнях электронного возбуждения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.07/
по: Степанов, С. А. Сергей Александрович
Публикация: (2013)

Диссипативные процессы в высокоомных материалах при высоких уровнях электронного возбуждения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
по: Степанов, С. А. специалист в области светотехники инженер Томского политехнического университета 1986-
Публикация: (2013)

Особенности люминесценции и фотопроводимости AgIn5S8 под действием лазерного излучения

К фотопроводимости германия и кремния под действием стационарного и импульсного рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Камолдинов, Михаил Гильмутдинович
Публикация: (1967)

Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков/
по: Гороховатский, Ю. А. Юрий Андреевич, et al.
Публикация: (1991)

Светодиоды
по: Берг, А.
Публикация: (1979)

Диссипативные процессы в высокоомных материалахпри высоких уровнях электронного возбуждения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
по: Степанов, С. А. специалист в области светотехники инженер Томского политехнического университета 1986-
Публикация: (2013)

Определение концентраций EL2 и EL2⁺ центров в ПИ GaAs по спектрам оптического поглощения и фотопроводимости

Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков
по: Гороховатский, Юрий Андреевич
Публикация: (1991)

Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления
по: Стурман, Борис Ицхакович
Публикация: (1992)

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./
по: Вуд, К. Е. К., et al.
Публикация: (1988)

Органические полупроводники
по: Гутман, Феликс
Публикация: (1970)

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Лабораторный практикум по дисциплине "Металлизация в системах с наноразмерными элементами" [для студентов, изучающих дисциплину "Металлизация в системах с наноразмерными элементами"]
по: Шевяков, Василий Иванович 1952-
Публикация: (2011)

Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики
Публикация: (1988)

Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников
по: Киселев, Вадим Алексеевич
Публикация: (2003)

Влияние примеси серы на электрические свойства селена диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Афанасьев, Н. В.
Публикация: (1944)

Фотопроводящие окислы свинца в электронике/
по: Извозчиков, В. А. Валерий Александрович, et al.
Публикация: (1979)