| Summary: | Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмиссии носителей заряда. Релаксация избыточной энергии при захвате и эмиссии носителей заряда происходит в результате их столкновений с фононами объема вещества квантовой ямы и межфазными границами раздела «барьерный слой – квантовая яма». Получены аналитические выражения для времен взаимодействия с учетом глубины залегания уровня размерного квантования, участвующего во взаимодействии с электронами, и ширины ямы. Численные оценки показывают, что в реальных условиях время захвата меньше времени эмиссии, и это различие увеличивается с ростом глубины залегания уровня. При малых глубинах залегания времена захвата и эмиссии сопоставимы.
|
|---|
