Захват и эмиссия носителей заряда квантовой ямой
Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмиссии носителей заряда. Релаксация избыточной энергии при захвате и эмиссии носителей заряда происходи...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 2. С. 19-25 |
|---|---|
| Main Author: | Давыдов, Валерий Николаевич |
| Other Authors: | Каранкевич, Олеся Александровна |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142361 |
Similar Items
-
Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
by: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Published: (2007) -
Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
by: Бурмистров, Евгений Романович -
Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой
by: Шабанов, Генрих Александрович - Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3
-
Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
by: Косухин, Константин Михайлович
