Применение аналитической модели распределения электрического потенциала для расчета динамики заряженных частиц в пристеночном слое и распыления обращенных к плазме поверхностей
Получены простые аналитические формулы для расчета распределения потенциала электрического поля в магнитном предслое и дебаевском слое около обращенных к плазме поверхностей. Показано, что рассчитанные профили потенциала хорошо согласуются с зависимостями распределения потенциала от угла наклона маг...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 4. С. 9-15 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001143758 |
| Итог: | Получены простые аналитические формулы для расчета распределения потенциала электрического поля в магнитном предслое и дебаевском слое около обращенных к плазме поверхностей. Показано, что рассчитанные профили потенциала хорошо согласуются с зависимостями распределения потенциала от угла наклона магнитного поля, полученными при решении уравнений магнитной гидродинамики (МГД) и при моделировании с помощью PIC-кода SPICE2. Получены зависимости углового распределения ионов, падающих на поверхность обращенных к плазме элементов, а также зависимость коэффициента распыления от наклона магнитного поля. Результаты расчётов показывают, что с точки зрения роста распыления критичными являются области поверхности, на которые магнитное поле приходит под скользящими углами. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 10 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |