Применение аналитической модели распределения электрического потенциала для расчета динамики заряженных частиц в пристеночном слое и распыления обращенных к плазме поверхностей
Получены простые аналитические формулы для расчета распределения потенциала электрического поля в магнитном предслое и дебаевском слое около обращенных к плазме поверхностей. Показано, что рассчитанные профили потенциала хорошо согласуются с зависимостями распределения потенциала от угла наклона ма...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 4. С. 9-15 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001143758 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03308nab a2200373 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001143758 | ||
| 005 | 20240920121117.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240917|2015 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001143758 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Бородкина, Ирина Евгеньевна |9 970368 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Применение аналитической модели распределения электрического потенциала для расчета динамики заряженных частиц в пристеночном слое и распыления обращенных к плазме поверхностей |c И. Е. Бородкина, М. Комм, И. В. Цветков |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 10 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Получены простые аналитические формулы для расчета распределения потенциала электрического поля в магнитном предслое и дебаевском слое около обращенных к плазме поверхностей. Показано, что рассчитанные профили потенциала хорошо согласуются с зависимостями распределения потенциала от угла наклона магнитного поля, полученными при решении уравнений магнитной гидродинамики (МГД) и при моделировании с помощью PIC-кода SPICE2. Получены зависимости углового распределения ионов, падающих на поверхность обращенных к плазме элементов, а также зависимость коэффициента распыления от наклона магнитного поля. Результаты расчётов показывают, что с точки зрения роста распыления критичными являются области поверхности, на которые магнитное поле приходит под скользящими углами. | |
| 653 | |a термоядерные реакторы | ||
| 653 | |a потенциал электрического поля | ||
| 653 | |a наклонное магнитное поле | ||
| 653 | |a магнитный предслой | ||
| 653 | |a дебаевский слой | ||
| 653 | |a распыление | ||
| 653 | |a плазма | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 970369 | |
| 700 | 1 | |a Комм, Мишель |9 970370 | |
| 700 | 1 | |a Цветков, Игорь Владимирович |9 970371 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2015 |g Т. 58, № 4. С. 9-15 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001143758 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1143758 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1143758 |d 1143758 | ||
| 039 | |b 100 | ||