Применение аналитической модели распределения электрического потенциала для расчета динамики заряженных частиц в пристеночном слое и распыления обращенных к плазме поверхностей

Получены простые аналитические формулы для расчета распределения потенциала электрического поля в магнитном предслое и дебаевском слое около обращенных к плазме поверхностей. Показано, что рассчитанные профили потенциала хорошо согласуются с зависимостями распределения потенциала от угла наклона маг...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 4. С. 9-15
Main Author: Бородкина, Ирина Евгеньевна
Other Authors: Комм, Мишель, Цветков, Игорь Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001143758
LEADER 03095nab a2200349 c 4500
001 koha001143758
005 20240920121117.0
007 cr |
008 240917|2015 ru s c rus d
035 |a koha001143758 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Бородкина, Ирина Евгеньевна 
245 1 0 |a Применение аналитической модели распределения электрического потенциала для расчета динамики заряженных частиц в пристеночном слое и распыления обращенных к плазме поверхностей  |c И. Е. Бородкина, М. Комм, И. В. Цветков 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 10 назв. 
520 3 |a Получены простые аналитические формулы для расчета распределения потенциала электрического поля в магнитном предслое и дебаевском слое около обращенных к плазме поверхностей. Показано, что рассчитанные профили потенциала хорошо согласуются с зависимостями распределения потенциала от угла наклона магнитного поля, полученными при решении уравнений магнитной гидродинамики (МГД) и при моделировании с помощью PIC-кода SPICE2. Получены зависимости углового распределения ионов, падающих на поверхность обращенных к плазме элементов, а также зависимость коэффициента распыления от наклона магнитного поля. Результаты расчётов показывают, что с точки зрения роста распыления критичными являются области поверхности, на которые магнитное поле приходит под скользящими углами. 
653 |a термоядерные реакторы 
653 |a потенциал электрического поля 
653 |a наклонное магнитное поле 
653 |a магнитный предслой 
653 |a дебаевский слой 
653 |a распыление 
653 |a плазма 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Комм, Мишель 
700 1 |a Цветков, Игорь Владимирович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2015  |g Т. 58, № 4. С. 9-15  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001143758 
908 |a статья 
999 |c 1143758  |d 1143758