APA (7th ed.) Citation

Бурмистров, Е. Р., Авакянц, Л. П., & Кутырев, Г. Ю. Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN. Известия высших учебных заведений. Физика, 0026-80960(2024), .

Chicago Style (17th ed.) Citation

Бурмистров, Евгений Романович, Лев Павлович Авакянц, and Глеб Юрьевич Кутырев. "Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN." Известия высших учебных заведений. Физика 0026-80960, no. 2024 ().

MLA (8th ed.) Citation

Бурмистров, Евгений Романович, et al. "Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN." Известия высших учебных заведений. Физика, vol. 0026-80960, no. 2024, .