Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

Путем численного самосогласованного решения системы уравнений Шредингера и электронейтральности Пуассона рассчитаны зонные диаграммы светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InxGa1−xN/GaN. Изучено влияние электрон-фононного взаимодействия, непараболичности закона дисперсии и гиб...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 7. С. 15-25
Главный автор:	Бурмистров, Евгений Романович
Другие авторы:	Авакянц, Лев Павлович, Кутырев, Глеб Юрьевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	гетероструктуры эффективная масса закон дисперсии температурная перенормировка красное смещение статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144331

Похожие документы

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06
по: Ермошин, Иван Геннадьевич
Публикация: (2009)

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN
по: Брудный, Валентин Натанович

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
по: Иванова, Елизавета Сергеевна

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1–xN (Y ≡ B, Al, In)
по: Литинский, Аркадий Овсеевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Научно-технологические проблемы создания полупроводниковых приборов нового поколения на гетероструктурах типа AlGaN/GaN

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: диссертация ... кандидата технических наук: 05.11.07/
по: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич
Публикация: (2021)

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
по: Романов, Иван Сергеевич

Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.11.07/
по: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич
Публикация: (2021)

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
по: Романов, Иван Сергеевич

Ограничение числа уровней размерного квантования в элементах наноэлектроники
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Туннельный транспорт в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AI0 3Gaol7N(0001). самосогласованный расчет
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки
по: Копьев, Виктор Васильевич

Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Томашевич, А. А. Александр Александрович
Публикация: (2023)

Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Томашевич, А. А. Александр Александрович
Публикация: (2023)

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.