| Summary: | Проведено исследование морфологии кратеров, образованных на поверхности HPHT синтетических алмазных пластин при воздействии мощного лазерного излучения в процессе их исследований методом лазерно-искровой эмиссионной спектроскопии. Образцы алмазных пластин облучались как отдельными лазерными импульсами, так и сериями до 30-ти импульсов в одну точку. Анализ полученных результатов показывает, что форма кратера зависит от нескольких факторов: энергии лазерного импульса, количества импульсов в серии и кристаллографической ориентации пластины. Влияние величины энергии лазерного импульса проявляется в переходе от овальной к полигональной форме кратера. Кристаллографическая ориентация пластины влияет на форму полигонального кратера: в направлении куба <100> образуются прямоугольные пирамидальные углубления с линейным или точечным дном, а в направлении октаэдра <111> – треугольные плоскодонные углубления.
|
|---|
