Морфология кратеров, образованных на поверхности алмазных пластин при воздействии сфокусированного лазерного излучения

Проведено исследование морфологии кратеров, образованных на поверхности HPHT синтетических алмазных пластин при воздействии мощного лазерного излучения в процессе их исследований методом лазерно-искровой эмиссионной спектроскопии. Образцы алмазных пластин облучались как отдельными лазерными импульса...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 7. С. 44-49
Other Authors: Иржевский, Кирилл Антонович, Клепиков, Игорь Вячеславович, Лебедев, Вячеслав Федорович, Колядин, Александр Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144334
LEADER 03591nab a2200385 c 4500
001 koha001144334
005 20240925141530.0
007 cr |
008 240924|2024 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/67/7/5  |2 doi 
035 |a koha001144334 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Морфология кратеров, образованных на поверхности алмазных пластин при воздействии сфокусированного лазерного излучения  |c К. А. Иржевский, И. В. Клепиков, В. Ф. Лебедев, А. В. Колядин 
246 1 1 |a Morphology of craters formed on the surface of diamond plates when exposed to focused laser radiation 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 14 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Проведено исследование морфологии кратеров, образованных на поверхности HPHT синтетических алмазных пластин при воздействии мощного лазерного излучения в процессе их исследований методом лазерно-искровой эмиссионной спектроскопии. Образцы алмазных пластин облучались как отдельными лазерными импульсами, так и сериями до 30-ти импульсов в одну точку. Анализ полученных результатов показывает, что форма кратера зависит от нескольких факторов: энергии лазерного импульса, количества импульсов в серии и кристаллографической ориентации пластины. Влияние величины энергии лазерного импульса проявляется в переходе от овальной к полигональной форме кратера. Кристаллографическая ориентация пластины влияет на форму полигонального кратера: в направлении куба <100> образуются прямоугольные пирамидальные углубления с линейным или точечным дном, а в направлении октаэдра <111> – треугольные плоскодонные углубления. 
653 |a кристаллографическая ориентация 
653 |a лазерно-искровая эмиссионная спектроскопия 
653 |a лазерное излучение 
653 |a сколы 
653 |a штриховка 
653 |a плоскости спайности 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Иржевский, Кирилл Антонович 
700 1 |a Клепиков, Игорь Вячеславович 
700 1 |a Лебедев, Вячеслав Федорович 
700 1 |a Колядин, Александр Владимирович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2024  |g Т. 67, № 7. С. 44-49  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144334 
908 |a статья 
999 |c 1144334  |d 1144334