Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники

Приведен обзор литературы по магнитным свойствам нитрида галлия, легированного редкоземельными элементами (РЗЭ). Рассмотрены свойства GaN, легированного РЗЭ в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированн...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 4. С. 59-72
Other Authors: Хлудков, Станислав Степанович, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович, Ивонин, Иван Варфоломеевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144844
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 02694nab a2200373 c 4500
001 koha001144844
005 20241023122723.0
007 cr |
008 241001|2024 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/67/4/7  |2 doi 
035 |a koha001144844 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники  |c С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин 
246 1 1 |a Ferromagnetic gallium nitride doped with impurities of rare earth elements as a material for spintronics 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 59 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Приведен обзор литературы по магнитным свойствам нитрида галлия, легированного редкоземельными элементами (РЗЭ). Рассмотрены свойства GaN, легированного РЗЭ в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированные редкоземельными элементами, как правило, приобретают ферромагнитные свойства с температурой Кюри выше комнатной. 
653 |a нитрид галлия 
653 |a ферромагнитные свойства 
653 |a примеси редкоземельных элементов 
655 4 |a статьи в журналах  |9 972371 
700 1 |a Хлудков, Станислав Степанович  |9 80218 
700 1 |a Прудаев, Илья Анатольевич  |9 81475 
700 1 |a Толбанов, Олег Петрович  |9 67379 
700 1 |a Ивонин, Иван Варфоломеевич  |9 65675 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2024  |g Т. 67, № 4. С. 59-72  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144844 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1144844 
908 |a статья 
999 |c 1144844  |d 1144844 
039 |b 100