Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур

Похожие документы

• Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
  по: Дирко, Владимир Владиславович
  Публикация: (2022)
• Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)
• Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy
• Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов