Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 25
Main Author:	Гнеушев, Анатолий Владимирович
Other Authors:	Дюков, Илья Юрьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	сверхструктурные изменения молекулярно-лучевая эпитаксия германий кремний экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144961

Similar Items

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
by: Nikiforov, Alexander I.

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
by: Lozovoy, Kirill A.

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
by: Sokolov, А. S.

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
by: Dyukov, I. Y.

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста