Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Моделирование характеристик но...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 62-63
Главный автор: Курчин, Константин Николаевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
транзисторы с высокой подвижностью электронов
нитрид галлия
экспериментальное моделирование
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145060
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145060
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

  • Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs
  • Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT
  • Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
  • Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
    по: Брудный, Валентин Натанович
  • Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...