Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 62-63
Главный автор:	Курчин, Константин Николаевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	транзисторы с высокой подвижностью электронов нитрид галлия экспериментальное моделирование статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145060 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs

Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
по: Prudaev, Ilya A.

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
по: Стерхова, М. А.

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
по: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
по: Брудный, Павел Александрович

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
по: Литинский, Аркадий Овсеевич

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
по: Новиков, Вадим Александрович

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич